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irf640n如何判断好坏

100次浏览     发布时间:2025-01-15 22:00:43    

判断IRF640N好坏的方法如下:

放电

首先对IRF640N的栅极(G极)和源极(S极)进行放电,使其电位相同。放电的方法可以直接在G极和S极之间用导线短接一下,或者串接一个电阻。

测量反向寄生二极管

使用万用表的二极管档测量D极(漏极)和S极(源极)之间的反向寄生二极管。正常情况下,当红表笔放在S极,黑表笔放在D极时,反向寄生二极管应导通,导通压降约为0.5V。当红表笔放在D极,黑表笔放在S极时,反向寄生二极管应截止,万用表上显示OL字样。

测量栅极充电

对G极充电,使用万用表的二极管档,红表笔接G极,黑表笔接S极。充电过程很快,万用表上看不到变化,一直显示OL字样。充电完成后,再次测量D极和S极之间的电阻,应接近于0,此时MOS管导通,导通压降很低,通常小于0.3V。

测量漏极到源极的电阻

使用万用表的电阻档测量漏极(D极)到源极(S极)的电阻。正常情况下,电阻应很小,然后断开G极与S极的连接,再测量D极到S极的电阻,应显示为无穷大。如果中间引脚是漏极,右边是源极,则漏极到源极的电阻应为几千欧姆。

检查栅极与源极的导通性

红笔接漏极,黑笔接源极,用手指碰栅极,应能读出一定的阻值,表示管子导通。如果栅极与任一极都不导通,则可能损坏。

通过以上步骤,可以基本判断IRF640N的好坏。建议使用指针表或调压电源触发,以便更准确地测量栅极的充电过程。

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