判断IRF640N好坏的方法如下：
放电
首先对IRF640N的栅极（G极）和源极（S极）进行放电，使其电位相同。放电的方法可以直接在G极和S极之间用导线短接一下，或者串接一个电阻。
测量反向寄生二极管
使用万用表的二极管档测量D极（漏极）和S极（源极）之间的反向寄生二极管。正常情况下，当红表笔放在S极，黑表笔放在D极时，反向寄生二极管应导通，导通压降约为0.5V。当红表笔放在D极，黑表笔放在S极时，反向寄生二极管应截止，万用表上显示OL字样。
测量栅极充电
对G极充电，使用万用表的二极管档，红表笔接G极，黑表笔接S极。充电过程很快，万用表上看不到变化，一直显示OL字样。充电完成后，再次测量D极和S极之间的电阻，应接近于0，此时MOS管导通，导通压降很低，通常小于0.3V。
测量漏极到源极的电阻
使用万用表的电阻档测量漏极（D极）到源极（S极）的电阻。正常情况下，电阻应很小，然后断开G极与S极的连接，再测量D极到S极的电阻，应显示为无穷大。如果中间引脚是漏极，右边是源极，则漏极到源极的电阻应为几千欧姆。
检查栅极与源极的导通性
红笔接漏极，黑笔接源极，用手指碰栅极，应能读出一定的阻值，表示管子导通。如果栅极与任一极都不导通，则可能损坏。
通过以上步骤，可以基本判断IRF640N的好坏。建议使用指针表或调压电源触发，以便更准确地测量栅极的充电过程。
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